随着晶体管先进工艺节点持续推进，国际半导体产业界已明确2 nm以后晶体管技术将转向纳米片晶体管技术，包括多桥通道晶体管(Multi-Bridge Channel FET)和垂直互补晶体管（Complementary FET），来更好地提升静电控制能力。然而基于传统硅锗材料的多桥沟道制造工艺 ...