为应对纳米级晶体管在高温与掺杂条件下的性能退化问题，研究人员通过Sentaurus TCAD工具系统分析了堆叠纳米片FET（SNSFET）、H ...
研究人员针对航天及核能等极端环境中半导体器件的辐射耐受性问题，采用Sentaurus TCAD仿真技术，系统研究了重离子辐射对阶梯隧穿路径TFET（STP-TFET）的电学特性影响。研究发现，在LET=50 MeV-cm2/mg时漏极电流(ID)可达28,000 μA，入射角度为0°时瞬态电流峰值达200,000 ...
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